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硅碳棒的内压是多种参数共同作用的结果

    虽然SiC声iC包壳硅碳棒的整体温度偏低,但内压缺较大(图6)。硅碳棒的内压是多种参数共同作用的结果,但是总的来说与棒内自由空间体积成反比,与自由空间平均气体温度成正比,两种硅碳棒的内压比值符合理想气体推导式(5),式中:W代表芯包间隙。此外,芯包间隙气体温度分布和流动,本算例冷态下间隙自由空间与硅碳棒总自由空间体积比例为36%,该值越小,对内压的影响越大。SiC,/SiC包壳硅碳棒由于芯块的体积膨胀大于Zr4包壳,其间隙比Zr4包壳硅碳棒的间隙更小,在上述综合参数影响下,使得SiC,1SiC包壳硅碳棒的内压略大于Zr4包壳硅碳棒。图7中,Zr4包壳硅碳棒的内压第61s骤降为0}而SiC,lSiC包壳则晚12s,两种包壳分别发生失效。其中Zr4包壳在高温下发生鼓胀,局部位置半径增大,使得周向应力超过爆破应力而失效,这一鼓胀现象使Zr4包壳硅碳棒自由空间体积增加,内压迅速下降。而SiC,1SiC包壳则是在内压持续增加的情况下,周向应变超过0.6%后发生脆性破裂。www.fleegi.com

 

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