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石墨烯修饰硅碳棒电极上的氧化是吸附控制的过程

    修饰电极的交流阻抗图将mmol/I,K[Fc(C'V)。和mmol/I.K1「FeCC1)]组成的气化还原电对作为探针分子,介质溶液为0.1mol/I的磷酸盐缓冲溶液PISS),通过交流阻抗法研究了该修饰电极的表面性质。如图所ids,曲线a,b分别为裸硅碳棒电极和石墨烯修饰硅碳棒电极的阻抗图,当裸硅碳棒电极修饰石墨烯之后,阻抗增加。硝基一4-氨基苯酚在修饰电极上的电化学行为及反应机理在。1mol/I的PS(pH一7.())中.3一硝基一1-氨基苯酚的浓度为5X10'mot/I,图2中a,b分别为3一硝基一4一氨基苯酚在裸硅碳棒电极和石墨烯修饰硅碳棒电极的循环伏安图结果表明.裸电极对J肖基4一氨基苯酚无明显的电化学响应,而石墨烯修饰硅碳棒电极对3-硝基一4一氨基苯酚的氧北还原电流增加,说明石墨烯修饰硅碳棒电极对3硝基4氨基苯酚产生f电催化作用。图23基4氨基苯酚在裸硅碳棒电极和石墨烯修饰破棒电极(b)上的循环伏安图根据文献报道7.苯环上的酚f基能在正电位0.2V左右发生不可逆反应,而苯胺的氧化电位为0.9V左右.因此3一硝基一个氨基苯酚的氧化反应主要是由苯环上的酚烃基的氧化还原反应引起的,电化学催化氧化3一硝基一4一氨基苯酚的反应方程式如下所小。扫速对3一硝基一4一氨基苯酚的影响图3为3一硝基一1一氨基苯酚在石墨烯修饰硅碳棒电极!二,扫描速率在20--100mV/、范围内的循环伏安图。由图可知,随着扫描速率的增加,氧化电流IP响应值随扫描速率V的增加而增大,且符合方程1,一7.44489+0.07363v(r一0.9993>,表明3硝基一4一氨基苯酚在石墨烯修饰硅碳棒电极上的氧化是吸附控制的过程,同时产生的氧化峰随扫描速度的增加而逐渐向正电位移动,这进一步说明在此条件下该反应式不可逆的。www.fleegi.com

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